Navitas luncurkan modul daya SiC ultra-tinggi untuk tingkatkan efisiensi energi dan infrastruktur AI.

Navitas Semiconductor meluncurkan modul daya SiCPAK™ G 2300 V baru dengan teknologi GeneSiC™ Trench-Assisted Planar™ yang canggih. Modul ini meningkatkan efisiensi dan kepadatan daya untuk transformator solid-state, penyimpanan baterai skala besar, inverter surya, dan pengisian daya EV megawatt, penting untuk pusat data AI generasi berikutnya dan jaringan energi. Fitur modul meliputi manajemen panas yang ditingkatkan, pengujian keandalan melebihi standar industri, serta opsi material antarmuka termal dan pin arus tinggi. Sampel sudah tersedia, mendukung ekspansi teknologi SiC ultra-tinggi Navitas untuk infrastruktur energi dan AI.

Harga saham Navitas Semiconductor naik 4,12% menjadi USD 9,10 per 21 Oktober 2026 pukul 19.43 WIB di Pluang, menunjukkan minat pasar yang kuat setelah peluncuran modul daya SiCPAK™ G 2300 V terbaru. Perusahaan ini memiliki kapitalisasi pasar sebesar $2,29 miliar dan nilai perusahaan $1,74 miliar, dengan volume perdagangan sebanyak 8.463.660 saham. Pergerakan harga ini sejalan dengan langkah Navitas dalam teknologi SiC tegangan ultra-tinggi untuk aplikasi energi dan infrastruktur AI.